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恩智浦半导体扩展其丰富的GaN和硅横向扩散金属氧化物半导体（Si－LDMOS）蜂窝基础设施产品组合，推动创新，以紧凑的封装提供行业领先的性能，助力下一代5G蜂窝网络发展。
5G连接涉及频谱扩展、更高阶位调制、载波聚合、全维波束赋形等关键技术，因此需要扩大技术基础才能支持增强移动宽带连接。根据频谱使用情况和网络占位空间，实施“多输入多输出”（MIMO）技术需采用四根（4TX）发射天线到64根甚至更多天线。5G网络的未来将取决于GaN和Si－LDMOS技术，而恩智浦一直身处射频功率放大器开发的前沿。
“恩智浦于1992年推出全球首款LDMOS产品，此后25年一直处于领导地位。现在，恩智浦依托成功的历史经验，以行业领先的GaN技术巩固了自己的射频领导地位，为蜂窝移动应用提供出色的线性效率，”恩智浦资深副总裁兼射频功率事业部总经理Paul Hart表示，“凭借出色的供应链、全球应用支持和行业内出色的设计专业知识，恩智浦已成为5G解决方案领先的射频合作伙伴。”
在IMS 2018展会上，恩智浦推出全新射频GaN宽带功率晶体管，扩展其适用于宏蜂窝和户外小型基站解决方案的Airfast第三代Si－LDMOS产品组合。新产品包括：
A3G22H400－04S：这款GaN产品非常适合40 W基站，效率高达56．5％，增益为15．4 dB覆盖从1800 MHz到2200 Mhz的蜂窝频段。
A3G35H100－04S：这款GaN产品提供43．8％的效率和14 dB的增益，可在3．5 GHz下实现16 TX MIMO解决方案。
A3T18H400W23S：这款Si－LDMOS产品以1．8 GHz的频率领跑5G时代，Doherty效率高达53．4％，增益为17．1 dB。
A3T21H456W23S：这款解决方案覆盖从2．11 GHz到2．2 GHz的全部90 MHz频带，体现了恩智浦Si－LDMOS产品出色的效率、射频功率和信号带宽性能。
A3I20D040WN：在恩智浦集成式超宽带LDMOS产品系列中，这款解决方案提供46．5 dBm的峰值功率、365 MHz的带宽以及32 dB的AB级性能增益，在10 dB OBO时的效率达18％。
A2I09VD030N：这款产品具有46 dBm的峰值功率，AB级性能增益为34．5 dB，在10 dB OBO时的效率为20％。这款产品的射频带宽为575 MHz至960 MHz。
恩智浦提供丰富多样的射频功率技术产品，涵盖GaN、硅－LDMOS、SiGe和GaAs，支持覆盖频率和功率频谱和多种集成度的5G产品。恩智浦不仅提供广泛的选择、构建数字计算产品，还支持基带处理应用，是端到端5G解决方案独特的供应商。
