三星公布内存路线图：2027年DDR6内存将突破10Gbps

发布: 2022-10-09 09:00 | 作者: MSCBSC | 来源: 移动通信网 | 字体: 小中大

10月8日消息，据德媒computerbase消息，三星在SamsungFoundryForum2022活动中介绍了其内存路线图。

如上图所示，在即将到来的2023年，三星将进入1bnm工艺阶段，内存芯片容量将达到24Gb（3GB）- 32Gb（4GB），原生速度将在6.4-7.2Gbps。显存方面，新一代 GDDR7显存将在明年问世，因此AMD和英伟达显卡的新一代显卡的中期改款就有可能会用上GDDR7显存。

此外，三星还进行了一些长远的设想，如2026年推出DDR6内存，2027年即实现原生10Gbps的速度。

三星也公布了其闪存的路线图，预计将在2024年推出V9NAND芯片。

IT之家曾报道，三星在此前的 TechDay2022活动中指出，其第九代V-NAND正在开发中，计划于2024年量产。到2030年，三星设想NAND堆叠超过1，000层，以更好地支持未来的数据密集型技术。三星还宣布，全球最高容量的1TbTLCV-NAND将于今年年底向客户提供。

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