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移动通信网讯 6月27日消息，在上海出席亚洲通信展期间，中国移动董事长奚国华透露，TD-LTE产业已经成熟，尤其是在终端芯片方面取得了重大的进展，采用28纳米芯片的TD-LTE手机已上市，今年预计将有11款TD-LTE手机上市。
TD-LTE手机已开始采用28纳米芯片
奚国华表示，这个情况是令人鼓舞的，目前全球已经发布的TD-LTE终端达到了160多款，包括多款智能手机，TD-LTE终端在全球的出货量已经超过了300万。
此前，在今年2月份巴塞罗那GTI峰会上，中国移动联合产业链合作伙伴发布了4款TD-LTE多模多频段手机和4款产品。奚国华表示，今年下半年，我们预计将有11款智能手机在中国上市。
“我本人和许多好友用户都已经在试用，特别是几款双待机手机的性能表现令人非常满意，特别令人振奋的是现在高级程度的28纳米的TD-LTE智能手机也已经上市，这表明TD-LTE产业水平已经迈上了新的台阶”，奚国华如此说。
他认为，随着全球终端芯片厂商的集体发力，TD-LTE多模多频段手机技术趋于成熟，今明两年将迎来TD-LTE终端多样化、规模化发展的黄金期。
两个4G标准在产品上已全面融合
奚国华同时表示，TDD与FDD的融合发展已经成为全球移动通信的重要发展方向，而TD-LTE与FDD实现了标准产业产品的全面融合，尤其做到了网络融合。
他认为，这两个标准的差异已不大，基于融合组网方案的商用网络，已经在欧洲、亚洲开通，如中国移动香港公司已经部署了LTE TDD融合网络，以核心网、无线网替代平台，无线等资源都是共用的，仅射频单元IIU支持不同的FDD、TDD频段，目前网络已经具备FDD、TDD的切换能力。(责任编辑：陈文轻)
